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静电放电解释：
静电放电的全称是静电放电，中文意思是“静电放电”。指不同静电荷电位的物体直接相互靠近或接触而引起的电荷转移。简单来说，就是电荷瞬间从一个物体移动到另一个物体，形成电荷转移过程的现象，即不同静电势(电位差)的物体或表面之间的静电电荷转移，称为静电放电。在电磁兼容领域，我们过去称之为静电放电抗扰度试验，详见国际标准IEC-61000-4-2/GBT 17626.2。有接触放电和电磁场击穿介质放电。
静电放电示例：
(1)雷雨天气产生的闪电，是因为空气中的一些尘粒积累的正电荷遇到地球的负电荷，产生放电。
(2)干燥天气下触摸另一个人时的触电感。
(3)在铺有地毯的地板上行走后，触摸金属门把手造成触电。
(4)冬季梳头或脱毛衣时出现电火花现象。
静电放电产生原理：
由直接接触或静电感应引起的具有不同静电荷电势的物体之间的静电荷转移。通常指静电场的能量突破介质，达到一定程度后放电的现象。
充电概念：
电荷是物质、原子或电子携带的电量。单位是库仑(标记为c)。我们常常把“带电粒子”称为电荷，但电荷本身并不是“粒子”，但为了描述方便，我们常常把它想象成粒子。收费只是一个衡量标准。(世界上的一切都是带电的，但是因为带着两种电荷，一正一负，数量相等，所以互相抵消。(
分子：保持物质化学性质的一种粒子；
原子：化学变化中最小的粒子。原子中心的原子核有质子和中子，电子围绕原子核运行；
电子：质量最小，电量最小的粒子(现在有分数电量理论)；
离子：以带正电荷(正离子)或负电荷(负离子)的原子或分子存在。
单晶：按照一定的规则原子顺序形成的晶体；
多晶：小单晶的集合；
晶体：由反映晶体特征的基本单元在三维空间叠加而成。基本单位称为单位元；
质子数=电子数=>电中性
质子数，电子数=>正值
质子数电子数=>负
同种电荷相斥，不同种电荷相吸，导体上的电荷是可动的，而绝缘体上的电荷是不可动的，这意味着绝缘体上的电荷不能通过接地来中和。
静电的产生：
产生静电的方式有两种，静电是一种静电荷，它是电子分布不均匀的结果，主要是摩擦引起的，其他的像电场感应和直接充电，即摩擦起电和感应起电。
影响收费金额的因素：
摩擦电荷的极性和强度由摩擦电序列决定。湿度越高，静电越低。湿度为55%时产生的静电大约是湿度为10%时的5-20%。也和电荷产生的速度有关；摩擦起电的相对位置；接触紧密度；摩擦系数；分离速度。放电速度：材料的导电性；相对湿度；地面水汽分布；再接触的速度甚至与一些不确定因素有关。
1.摩擦起电
a)当两种不同性质的材料(其中至少一种是绝缘体)接触并分离时，电荷从一种材料转移到另一种材料。
b)得到电荷的物质是负的，反之亦然。
c)产生的电荷类型与两种材料的相对位置有关。
摩擦后任意两种材料的极性都可以判断。在摩擦起电过程中，两种材料之间的距离越远，彼此产生的电荷就越多。
2.感应起电
a)非接触方法
当导电材料足够接近时，来自静态电源的静电场将引起电荷分离
HBM是一种传统的测试模式，在行业标准(MIL-STD-883x)中有定义。人都是带电的，尤其是在干燥的冬天，接触门把手往往会有带电的感觉。这是人类活动的结果。静电荷积聚在人体上。当我们触摸芯片时，人体上的静电通过ic的引脚引脚进入芯片，然后通过IC放电到地面。(不仅是接触PIN时会发生，因为封装好的ic表面有静电，接触封装面时也会发生。)放电过程瞬间发生，几纳秒内烧坏IC元器件。
(2)毫米机卸料型号(毫米)
机器放电模式，即人体被机器设备代替，主体部分的改变使测试模式发生改变。在这种情况下，意味着静电电荷在机械设备上积累，当它们与ic接触时，会对芯片放电，从而破坏电路。机器排放模式，工业标准EIAJ-IC-121方法20。MM测试电路类似于HBM，其数值变化如下：电容值为200pf，充电电压为500V，充电电阻为100欧姆，放电部分增加500nH电感(电感与电流无关，电感XL=2fL，f为频率)。因为大部分机器是金属制成的，所以等效电阻极小，产生巨大的瞬时放电电流(几安培)。机器模型也叫日本模型，因为在日本使用很广泛。与家具型号不同，主要由200pf电容串的极低电阻(10)代替普通的串联电阻组成。机器模型的典型代表是带电和绝缘的机械臂、车辆、绝缘导体等。机器模型的放电波形与预期的家具模型相似，只是充电电容较大。典型的机器型号可以产生小电阻(<10)的放电波形，峰值电流为几百安培，持续时间为几百纳米(由放电路径的电感决定)。
(3)清洁发展机制充电装置模型
这种模式下，电荷在IC本身积累，可能是与PIN的摩擦或者与其他物体的静电荷接触，使自身带电。然后通过直接接地或间接接地放电，从而形成放电现象。很难模拟这种现象，这是由于导致放电的成分不同造成的。这种现象表明，IC在生产过程中可能会损坏，例如，IC在传输过程中充电，安装在电路板上时会因接地而损坏。有时在测试过程中可能会损坏。CDM等效电路根据不同情况而不同。因为封装小，电容和电感都很小，大约5pf和10nH。CDM的放电时间很短，1ns内电流可以达到15安培的峰值，所以这种现象更容易对IC造成损坏。CDM和HBM没有相关性，一个成功的CDM测试并不能预测HBM会发生什么！
(4)其他FIM/IEC/电子枪电磁场感应模型
这种模式和CDM类似，只是IC的充电模式不同。在这种模式下，IC在电场环境中通过感应充电，放电模式类似于CDM。该模式的工业标准(JESD22-C101)，详情请阅读相关标准。
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